年度国际EDA领域专业会议ISEDA 2024于5月10日-13日在西安隆重召开。ISEDA，全称International Symposium of EDA，是由EDA开放创新合作机制（EDA²）和中国电子学会电子设计自动化专委会共同主办，是一年一届的VLSI设计自动化领域国际EDA会议。ISEDA旨在探索新的挑战课题，呈现领先的技术与思想，并为EDA生态捕捉未来发展的趋势与机会。

作为集成电路良率管理领导者，计算光刻领域的先行者、探索者、引领者，东方晶源受邀参加本次盛会，通过发表重要技术演讲以及精彩展台展示，与参会学者、专家交流前沿技术、探讨新的挑战！

AI Enabled Design to Contour Mechanism for Design Manufacturability Check——Shengrui Zhang

在Hardware and Software Co-design for Al Manufacture EDA的专题研讨会中，东方晶源技术专家带来精彩演讲。随着摩尔定律不断向前推进，芯片制造逐渐接近物理和经济极限，因此在设计制造过程中越来越多的反馈对于提升芯片制造良率变得至关重要。东方晶源基于HPOTM（Holistic Process Optimization）良率最大化技术路线和产品设计理念，经过十年技术攻关，打造出计算光刻平台PenGen、纳米级良率量测检测设备、YieldBook良率数据管理平台等点工具，为HPOTM落地提供坚实的基础。 在分享中，东方晶源技术专家重点介绍D2C（Design to Contour）、DMC（Design Manufacturability Check）技术和产品，能够将FAB全套OPC Recipe解决方案以AI模型的方式进行打包，从而使用户可以基于原始Design快速、精准估计该Design最终硅片上的形貌（Contour），进而提前预知设计版图存在的潜在风险，为芯片制造的良率提升探索出了新的路径。

东方晶源作为专注于制造端的本土EDA企业，围绕计算光刻环节，旗下PanGen平台已经形成八个产品矩阵，包括精确的制程仿真、DRC、SBAR、OPC、LRC、DPT、SMO、DMC，具备完整的计算光刻相关EDA工具链条。此外，PanGen平台具有适用于成熟工艺节点的OPC优化功能，同时也是首款具有CPU+GPU混算构架的全芯片反向光刻（ILT）功能的掩模优化工具。反向光刻技术已被证明是投影光刻极限的工艺节点的有效掩模优化技术。

未来，东方晶源将继续围绕HPO^TM解决方案进行更多深化和探索，围绕纳米级检测装备+核心EDA工具进行持续布局，打通芯片设计与制造过程中的信息差，提高效率、降低制造成本，与产业链上下游合作伙伴携手，建立适合中国集成电路产业的全新生态。